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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
48
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2624
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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