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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
48
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
43
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3304
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Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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