RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3579
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link