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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
74
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
74
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1679
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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