RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
74
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
74
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1679
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link