RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
48
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
41
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2870
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link