RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3140
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link