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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2579
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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