RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
48
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2702
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link