RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
48
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3177
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link