RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
48
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3177
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link