RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2497
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link