RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3237
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link