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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2196
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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