RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2196
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link