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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
48
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3933
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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