RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
48
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3519
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link