RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1967
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link