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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
48
En -118% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3182
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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