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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
48
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2875
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
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