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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
48
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2672
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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