RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
51
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
51
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2286
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link