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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2806
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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