RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2907
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link