RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
48
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2100
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link