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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
48
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2588
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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