RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
47
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
45
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2190
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link