RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
47
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2190
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link