RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2190
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link