RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2307
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link