RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2307
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link