RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
79
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
79
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1850
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link