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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
47
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
20
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3287
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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