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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
58
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
58
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
1998
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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