RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3327
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link