RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3327
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link