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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
11.8
17.4
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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