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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3936
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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