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AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1254
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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