AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Punteggio complessivo
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Punteggio complessivo
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 73
    Intorno -143% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.1 left arrow 6.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.1 left arrow 5.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    73 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.3 left arrow 11.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.2 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1309 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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