AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote
star star star star star
AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Gesamtnote
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Unterschiede

AMD R5316G1609U2K 8GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5316G1609U2K 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 73
    Rund um -143% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.1 left arrow 6.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 5.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.3 left arrow 11.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.2 left arrow 6.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1309 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche