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AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
11.1
写入速度,GB/s
5.2
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1254
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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