AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 73
    Около -143% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.1 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    6.1 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.3 left arrow 11.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.2 left arrow 6.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1309 left arrow 1254
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения