RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
47
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3430
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link