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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
72
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
72
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1951
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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