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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
72
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
72
读取速度,GB/s
9.3
15.8
写入速度,GB/s
5.9
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
1951
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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