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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
47
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
4116
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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