RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
4116
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link