RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1851
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link