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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
47
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
20
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3506
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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