RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
47
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3506
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link