RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
71
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
71
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1979
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link