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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3463
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
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